材料科學姑蘇實驗室是瞄準國家實驗室建設標準和國際一流水平，服務國家重大工程戰(zhàn)略需求，立足蘇州現有科研基礎與發(fā)展要求，集聚國內外創(chuàng)新資源，與科研院所、高等院校、龍頭企業(yè)協同建設的新型的研發(fā)機構。目前注冊為蘇州市事業(yè)法人，已獲批準為首批“江蘇省實驗室”，正在爭取成為省級科研單位。實驗室坐落在蘇州工業(yè)園區(qū)，總部規(guī)劃用地不少于500畝，10年建設資金總額200億元。
姑蘇實驗室以獨立法人事業(yè)單位實體化運行，實行理事會領導下的實驗室主任負責制�；�“組織支撐流程，流程支撐業(yè)務”的理念設立組織模塊，創(chuàng)新實踐“主建”和“主戰(zhàn)”相結合的矩陣式管理理念，探索符合科技創(chuàng)新規(guī)律和市場經濟規(guī)律，引領未來科技、產業(yè)發(fā)展與國際接軌的各類新型管理體制機制。
姑蘇實驗室的建設目標是緊扣材料科學領域中的國家重大戰(zhàn)略需求、區(qū)域經濟發(fā)展重大需求以及未來科技革命的前沿技術“三大重點”，以突破國家重大戰(zhàn)略需求、攻克區(qū)域產業(yè)重大技術瓶頸、解決行業(yè)重大科技問題為使命，通過五年左右的一期建設，集聚1000名以上的科研、技術及管理人才，建成具有國際一流水平的材料研發(fā)、分析表征、仿真模擬等公共平臺，突破一批材料科學領域核心基礎科學問題和關鍵共性技術問題；通過二期建設，到2030年，姑蘇實驗室力爭躋身世界一流材料實驗室行列，成為具有全球影響力的國際化創(chuàng)新策源地、國家材料戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新基地。
歡迎全球有志于電子信息材料、能源環(huán)境材料、生命健康材料等研究領域的優(yōu)秀才俊加盟，共同致力于材料領域的科研創(chuàng)新！
②崗位描述和應聘條件
③相關待遇
（一）薪資待遇：協議年薪25萬起，成功進站工作者額外獲得2年18萬生活補貼。
（二）人才項目：實驗室支持符合條件的博士后進站人員競爭性申報國家“博新計劃”、國際交流計劃引進項目、博士后基金站前特別資助等。
（三）職稱評定：在站期間可參與申報自然科學研究系列職稱。
（四）科研項目：按照相關規(guī)定，申請國家、省市各類科研項目。
（五）在職培訓：提供相關專業(yè)與技術能力培訓的機會。
（六）其他福利：高標準繳納五險一金、年度體檢、節(jié)日福利等。
④應聘材料及方式
1.基本材料：應聘登記表、簡歷、學歷/學位證書、身份證復印件等；
2.證明材料：文章列表、發(fā)明專利、獲獎證書復印件等相關證明本人能力及水平的證明材料；
3.請將上述材料以“項目研究方向+姓名 ”命名發(fā)送至郵箱：hrzp@gusulab.ac.cn。
4.姑蘇實驗室官方網站：www.gusulab.ac.cn。
材料科學姑蘇實驗室，期待海內外人才共創(chuàng)事業(yè)！
來源：
http://www.gusulab.ac.cn/recruit/workTwo/workXiao/202106/t20210615_1260.html
姑蘇實驗室以獨立法人事業(yè)單位實體化運行，實行理事會領導下的實驗室主任負責制�；�“組織支撐流程，流程支撐業(yè)務”的理念設立組織模塊，創(chuàng)新實踐“主建”和“主戰(zhàn)”相結合的矩陣式管理理念，探索符合科技創(chuàng)新規(guī)律和市場經濟規(guī)律，引領未來科技、產業(yè)發(fā)展與國際接軌的各類新型管理體制機制。
姑蘇實驗室的建設目標是緊扣材料科學領域中的國家重大戰(zhàn)略需求、區(qū)域經濟發(fā)展重大需求以及未來科技革命的前沿技術“三大重點”，以突破國家重大戰(zhàn)略需求、攻克區(qū)域產業(yè)重大技術瓶頸、解決行業(yè)重大科技問題為使命，通過五年左右的一期建設，集聚1000名以上的科研、技術及管理人才，建成具有國際一流水平的材料研發(fā)、分析表征、仿真模擬等公共平臺，突破一批材料科學領域核心基礎科學問題和關鍵共性技術問題；通過二期建設，到2030年，姑蘇實驗室力爭躋身世界一流材料實驗室行列，成為具有全球影響力的國際化創(chuàng)新策源地、國家材料戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新基地。
歡迎全球有志于電子信息材料、能源環(huán)境材料、生命健康材料等研究領域的優(yōu)秀才俊加盟，共同致力于材料領域的科研創(chuàng)新！
②崗位描述和應聘條件
| 序號 | 項目研究方向 | 招聘人數 | 專業(yè)方向 | 候選人基本條件 |
| 1 |
超導量子器件（器件工藝開發(fā)） （G201&202) |
3 | 半導體、微電子 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、有較強的微納加工基礎，熟練掌握版圖設計、紫外光刻、電子束曝光、薄膜生長、刻蝕、封裝等工藝，有硅基和III-V半導體器件、超導電子器件的加工經驗者優(yōu)先； 3、溝通能力強，具有合作精神，能夠獨立承擔器件研究和工藝開發(fā)工作； 4、有良好的英文閱讀和寫作能力。 |
| 2 |
超導量子器件（量子器件設計及測控） （G201&202) |
7 | 物理、微電子、微波工程、電子信息技術 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、有固態(tài)量子器件設計、測控和分析經驗者優(yōu)先； 3、深入理解量子電動力學或量子光學，了解開放量子系統(tǒng)理論，熟悉低溫測試系統(tǒng)。 |
| 3 |
超導量子器件（材料微波損耗測試） （G201&202) |
3 | 物理、電子信息技術、材料、微波 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、具備三年以上微波工程、微波器件設計、器件電磁場模擬及測試相關工作經歷； 3、深入理解材料微波損耗機理； 4、有微波器件設計及微波損耗測試經驗者優(yōu)先 |
| 4 |
超導量子器件（固態(tài)量子芯片退相干微觀機理研究） （G201&202) |
2 | 物理、電子信息技術、材料、微波 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、具備三年以上材料微觀物性研究、及測試相關工作經歷，有較強的量子器件及量子材料功底，精通前沿的高精密量子器件表征，如STM/AFM表征、電子自旋共振表征、鉆石NV色心探針表征、ScanningSQUID表征等； 3、深入理解材料微波損耗機理； 4、有微波器件設計及微波損耗測試經驗者優(yōu)先 |
| 5 |
高精度動態(tài)三維智能視覺芯片與系統(tǒng)核心技術開發(fā) （G203） |
6 | 計算機、通信、自動化等相關專業(yè) |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、有較好數學基礎，較強的圖像處理算法設計能力； 3、在計算成像、圖像處理等領域具有相關研究成果或開發(fā)經驗； 4、較強的論文檢索，英文專業(yè)文獻閱讀能力； 5、了解雙目、結構光、ToF等一種或者多種技術者優(yōu)先。 |
| 6 |
MOCVD/MBE外延與器件驗證 （G2101） |
3 | 半導體材料生長、半導體光電子器件、微電子學與固體電子學、材料學、物理學、真空技術等相關專業(yè)； |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、了解并熟悉掌握MOCVD/MBE設備研發(fā)制造及生長技術； 3、根據外延材料測試與下游器件的結果反饋，進行外延工藝的優(yōu)化與改進； 4、對MBE外延產品分析檢測，數據分析，形成報告和技術文檔； 5、熟悉外延產品知識和相關應用，熟練操作所負責的儀器和軟件，能獨立設計實驗和分析實驗結果； 6、熟悉了解外延片各類表征手段，如XRD，PL，ECV，AFM等，同時根據要求的材料結構研發(fā)和編寫外延生長工藝 |
| 7 |
基于超表面的光譜調制結構設計 （G2102） |
1 | 材料、電子、微電、精儀等 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、微電子、電子工程、半導體物理、材料等相關專業(yè)碩士及以上學歷，研究生階段從事過光子晶體、超材料方面的研究。 3、有較好的數理基礎，能深刻理解微納結構與電磁波的相互作用，熟練使用FDTD、Rsoft、RCWA等進行電磁波仿真。 4、根據公司業(yè)務需求，完成微納結構的仿真設計，配合測試結果優(yōu)化結構設計。 5、熟練使用TannerTool或klayout等版圖設計軟件者優(yōu)先，有一定的代碼能力者優(yōu)先 |
| 8 |
快速高精度光譜重建算法研究 (G2102) |
1 | 材料、電子、微電、精儀等 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、數學、計算機等相關專業(yè)，具備扎實的數學基礎和數據處理經驗； 3、熟悉并可以應用多種機器學習模型。包括但不限于線性模型、樹模型、概率圖模型、聚類模型、深度學 習模型、多任務學習、遷移學習、強化學習、整數規(guī)劃算法、VRP算法（其中若干種即可）； 4、熟練掌握python和C++; 5、有算法部署經驗者優(yōu)先; 6、責任心強，善于學習新事物，有較強的分析問題和解決問題的能力。 |
| 9 |
融合人工智能的材料結構搜索策略和方法 （G2103） |
1 | 計算材料學&人工智能 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、熟悉C++,Python等；熟悉主流的開源深度學習框架如PyTorch,TensorFlow等；如有遺傳算法、粒子群算法經驗更佳。 |
| 10 |
高精度超高帶寬量子比特讀取技術 （G2113) |
1 | 物理電子學/電子學相關專業(yè) |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、具備高速模擬電路設計、FPGA程序設計經驗 |
| 11 |
退役動力電池材料回收與再生 （G2116） |
4 | 選礦，濕法冶金，材料（新能源材料），化工，LCA，有機合成，生物合成專業(yè) |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、具備深厚的電化學/鋰電材料合成/測控、智能識別/選礦/濕法冶金的理論知識； 3、能夠獨立開展研究平臺搭建和開展課題研究； |
| 12 |
晶圓級微透鏡陣列光學芯片 （G2118) |
1 | 自動化 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、具有3年以上微納加工（光刻、刻蝕、SEM檢測）經驗者優(yōu)先;3、精通衍射光學，微納光子學理論基礎和設計技巧，具有實際設計的成功經驗; 4、熟悉相關的微納加工技術，了解相關的核心設備型號和操作規(guī)程，并了解制作過程所需材料; 5、精通光刻、納米壓印、電鍍、印刷、精通薄膜等技術，并能熟練使用日常分析及檢測儀器。 |
| 13 |
晶圓級微透鏡陣列光學芯片 （G2118) |
1 | 微電子與固體電子學 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、至少熟練掌握Matlab編程語言，簡歷必須包含以Matlab語言撰寫的代碼內容，熟練掌握C/C++或Python等編程語言者更佳； 3、有扎實的傅里葉變換、概率論、線性代數功底（相關課程成績優(yōu)秀）； 4、熟悉數字信號處理、統(tǒng)計信號處理、陣列信號處理、雷達者優(yōu)先考慮。 |
| 14 |
連續(xù)噴墨打印技術研究 （G2120) |
6 | 電子工程、自動化、機械工程，材料，電子，微電，物理 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、具有MEMS器件、PZT壓電薄膜制備、傳感器件（Sensor）、制動器件（Actuator）或其他半導體器件研究基礎和經驗； 3、熟悉常見的MEMS芯片制備工藝：光刻、深硅刻蝕、鍵合等； 4、較強的論文檢索，英文專業(yè)文獻閱讀和撰寫能力。 |
| 15 |
OLED/QLED顯示材料的設計合成與開發(fā) （G2120) |
6 | 有機/物理化學/高分子化學；微電；材料；光學 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、有扎實的有機分子材料設計與合成的基礎和經驗； 3、具有3年以上的OLED/QLED或其它有機光電器件的研究經歷； 4、較強的論文檢索，英文專業(yè)文獻閱讀和撰寫能力。 |
| 16 |
半導體工業(yè)級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究 （微聚焦電子束（10微米級別、動態(tài)掃描）、光電子調制檢測） （G2121) |
2 | 真空電子學 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、有較好物理基礎； 3、在磁偏轉電子束、電子透鏡等領域具有相關研究成果或開發(fā)經驗； 4、較強的論文檢索，英文專業(yè)文獻閱讀能力； 5、有XPS使用維護經驗者優(yōu)先。 |
| 17 |
半導體工業(yè)級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究 （X射線單色化調制） （G2121) |
1 | 光學 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、有較好光學基礎； 3、在光束聚焦等領域具有相關研究成果或開發(fā)經驗； 4、較強的論文檢索，英文專業(yè)文獻閱讀能力； |
| 18 |
半導體工業(yè)級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究 （自動化控制） （G2121) |
1 | 自動化 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、有較好自動化基礎； 3、在儀器自動化領域具有相關研究成果或開發(fā)經驗； 4、較強的論文檢索，英文專業(yè)文獻閱讀能力； |
| 19 |
半導體工業(yè)級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究 （數據分析反饋） （G2121) |
1 | 計算機，人工智能 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、有較好計算機基礎，較強的算法設計能力； 3、在大數據、人工智能等領域具有相關研究成果或開發(fā)經驗； 4、較強的論文檢索，英文專業(yè)文獻閱讀能力； |
| 20 |
AlGaN深紫外LED外延生長、AlGaN深紫外LED器件工藝 （G2122） |
4 | 半導體材料與器件、光電子 |
1、國內外著名大學博士學位獲得者，年齡35歲以下，畢業(yè)3年以內； 2、具有化合物半導體材料外延生長、光電子或功率電子器件的研究背景； 3、了解相關領域國內外最新研究進展，具有扎實的專業(yè)基礎知識和實驗技能、及較強的英語讀寫能力，在前期學習/工作過程中做出同行認可的成績； 4、具有較強的團隊合作精神、責任心和獨立開展工作的能力，動手能力強，認真細心，踏實肯干，善于溝通，有意長期從事氮化物半導體材料與光電子器件的研發(fā)及產業(yè)化工作； 5、具有AlGaN基深紫外LED材料MOCVD外延生長或芯片工藝研發(fā)經驗者優(yōu)先考慮。 |
③相關待遇
（一）薪資待遇：協議年薪25萬起，成功進站工作者額外獲得2年18萬生活補貼。
（二）人才項目：實驗室支持符合條件的博士后進站人員競爭性申報國家“博新計劃”、國際交流計劃引進項目、博士后基金站前特別資助等。
（三）職稱評定：在站期間可參與申報自然科學研究系列職稱。
（四）科研項目：按照相關規(guī)定，申請國家、省市各類科研項目。
（五）在職培訓：提供相關專業(yè)與技術能力培訓的機會。
（六）其他福利：高標準繳納五險一金、年度體檢、節(jié)日福利等。
④應聘材料及方式
1.基本材料：應聘登記表、簡歷、學歷/學位證書、身份證復印件等；
2.證明材料：文章列表、發(fā)明專利、獲獎證書復印件等相關證明本人能力及水平的證明材料；
3.請將上述材料以“項目研究方向+姓名 ”命名發(fā)送至郵箱：hrzp@gusulab.ac.cn。
4.姑蘇實驗室官方網站：www.gusulab.ac.cn。
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http://www.gusulab.ac.cn/recruit/workTwo/workXiao/202106/t20210615_1260.html
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