依托中國科學院半導體研究所的半導體超晶格國家重點實驗室是我國唯一以半導體基礎(chǔ)物理為主要研究領(lǐng)域的國家重點實驗室。李樹深院士和駱軍委研究員團隊聚焦在后摩爾時代半導體技術(shù)的前沿物理及器件研究，團隊成員包括院士1名、杰青1名、優(yōu)青1名、國家高層次人才計劃入選者2名和多名中科院高層次人才計劃入選者等，因科研發(fā)展需要現(xiàn)向海內(nèi)外招聘多名博士后（特別研究助理）。
一、具體待遇如下：
1、年薪35-50萬元（具體視研究經(jīng)歷）；
2、出站不以論文及基金為硬性條件，支持潛心科研；
3、按照國家規(guī)定足額繳納相應社會保險和住房公積金；
4、博士后經(jīng)聘用后，對符合申請條件的優(yōu)秀全職在站博士后納入“中科院特別研究助理“的管理，推薦其進行“博士后創(chuàng)新人才計劃”和相關(guān)項目的申請。
5、享受全國博管會關(guān)于博士后的相關(guān)優(yōu)惠政策，提供博士后公寓或住房補貼；
6、根據(jù)科研表現(xiàn)，通過實驗室考核可獲得留所編制。
二、崗位要求如下：
1、符合具體研究方向的博士學位；
2、具有扎實的專業(yè)知識和實驗技能，在國際學術(shù)刊物上發(fā)表過論文；
3、具有較強的團隊合作意識、責任心強；
4、協(xié)助推進重大項目研究進展，申請和承擔相關(guān)領(lǐng)域科研項目。
三、研究方向如下：
1、硅基發(fā)光材料及器件方向
具有半導體物理學、材料學、微電子學相關(guān)專業(yè)背景，在半導體發(fā)光材料，特別是硅基光源等擁有相關(guān)研究基礎(chǔ)者優(yōu)先考慮。擬開展研究內(nèi)容為鍺單晶材料摻雜發(fā)光和應變鍺發(fā)光器件。
2、半導體摻雜與缺陷物理方向
具有凝聚態(tài)物理和半導體物理相關(guān)專業(yè)背景，在密度泛函理論第一性原理計算，半導體摻雜與缺陷物理等領(lǐng)域擁有相關(guān)研究基礎(chǔ)者優(yōu)先考慮。擬開展方向包括：半導體缺陷與摻雜理論計算與設(shè)計；非平衡摻雜與缺陷理論，寬禁帶半導體中缺陷與摻雜。
3、含時密度泛函和高通量計算方向
基于含時密度泛函理論研究半導體中的超快動力學過程，包括超快激光誘導的半導體材料相變，熱載流子激發(fā)態(tài)動力學和光與物質(zhì)相互作用等。以及半導體合金及異質(zhì)結(jié)等逆向設(shè)計。
4、固態(tài)量子信息方向
具有量子信息或者理論物理相關(guān)專業(yè)背景，在量子控制、量子退相干、量子糾錯和量子精密測量擁有相關(guān)研究基礎(chǔ)者優(yōu)先考慮。擬開展量子退相干、量子控制、量子糾錯和量子精密測量器件物理研究。
5、TCAD軟件與概率計算方向
TCAD方向要求具有半導體材料工藝器件模擬經(jīng)驗，編寫過相關(guān)的仿真程序。概率計算方向要求有FPGA開發(fā)經(jīng)驗，會用SPICE仿真建模，或者有搭建光學平臺和硅光子仿真的豐富經(jīng)驗。擬開展的方向為半導體TCAD軟件開發(fā)和概率計算硬件開發(fā)。
四、應聘方式：
1、報名時間：本招聘長期有效，沒有截止時間，隨時可以申請入站，經(jīng)考核答辯，入職體檢等合格后方可辦理入站手續(xù)；
2、應聘者需提交個人簡歷，以“應聘崗位+姓名 ”為主題發(fā)送至jwluo@semi.ac.cn(駱軍委研究員)；
3、簡歷合格者將通知本人參加面試，并提供學歷、學位證書復印件和相關(guān)證明材料；
4、通過面試者到指定醫(yī)院進行體檢，體檢合格者將被錄用。
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http://lab.semi.ac.cn/yanjiusheng/contents/1335/152214.html
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