一、自旋電子材料與量子器件研究中心簡介
自旋電子材料與量子器件研究中心是一個面向未來后摩爾時代信息處理與存儲可持續(xù)發(fā)展的研究機構(gòu)，瞄準5納米以下新型電子量子器件技術(shù)發(fā)展前沿，圍繞自旋電子及其他低維電子材料研究方向，開展以低維電子系統(tǒng)的介觀結(jié)構(gòu)-物理特性-埃米制備技術(shù)為核心的物理基礎(chǔ)及量子器件研究工作，并以新型量子信息處理及存儲工藝的研究和實施帶動后摩爾時代運算技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，實現(xiàn)在該領(lǐng)域的理論、工藝與研究方法的創(chuàng)新。研究中心將通過整合西安交通大學相關(guān)學科資源、強化科研平臺建設、引進國際一流人才，逐步發(fā)展成為具有國際水平的、在國內(nèi)外有重要影響的基礎(chǔ)研究基地，最終建成世界一流的學術(shù)研究機構(gòu)。
1、中心主任
閔泰教授，“人才”學者（全職）；汪宏教授，“長江學者”（全職）
2、主要研究方向
（1）低維介觀量子體系材料、器件的電磁聲光元激發(fā)和量子輸運理論
（2）低維介觀量子體系材料、器件的仿真和模擬（ab-initio，micro-magnetic，compact）
（3）新材料（石墨烯，拓撲絕緣體、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生長技術(shù)（磁控濺射，ALD，CVD）和物理表征（<1K低溫，>60特斯拉高磁場,飛秒激光激發(fā)，STM，MFM，F(xiàn)MR）
（4）5納米以下量子器件工藝研發(fā)
（5）量子計算、類腦計算與存儲系統(tǒng)設計、優(yōu)化和應用技術(shù)的研究和開發(fā)
（6）磁性生化醫(yī)療microfluidic測試系統(tǒng)的研究和開發(fā)
3、主要研究條件
（1）磁控濺射、ALD和CVD反應設備
（2）高磁低溫飛秒測試設備
（3）QuantumwiseA/S公司AKT軟件包，自主開發(fā)的Micromagnetic軟件包
（4）球差校正高分辨透射電子顯微鏡
二、招聘方向，條件與待遇
1、招聘助理教授（Tenuretrack）、副教授（Tenured）、教授（Tenured）各一名
（1）研究方向
（a）低維介觀量子體系材料、器件的電磁聲光學元激發(fā)和量子輸運理論
（b）新材料（石墨烯，拓撲絕緣體、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生長技術(shù)（磁控濺射，ALD，CVD）和物理表征（<1K低溫，>60特斯拉高磁場,飛秒激光激發(fā)，STM，MFM，F(xiàn)MR）
（c）5納米以下量子器件工藝的研究
（2）應聘條件
年齡在45歲以下
取得博士學位后有兩年以上在上述研究方向從事研究的博士后或工作經(jīng)歷，具有國（境）外連續(xù)12個月及以上的學習、工作經(jīng)歷；
以第一作者或通訊作者在超一流期刊發(fā)表2篇以上高水平學術(shù)論文
有獨立承擔科研項目的能力
有開創(chuàng)新學科和新研究方向的潛力
優(yōu)秀的中英文交流、表達能力，能撰寫英文學術(shù)論文
腳踏實地、勤學上進、富有科學獻身精神
（3）待遇
提供100-200萬元的科研啟動費，根據(jù)需要提供相應的平臺建設經(jīng)費
提供15-45萬元的年薪，另可面議（以不低于原來收入為起點）
年終根據(jù)業(yè)績提供最高不超過5萬元的年度獎勵
在出入境、居留、落戶、醫(yī)療、保險以及國際交流等方面提供便利條件等
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優(yōu)秀者將由我校全力協(xié)助申請國家人才，青年人才，長江學者，青年長江學者，陜西省百人計劃
（4）應聘方式
有意應聘者請通過電子郵件提供如下應聘材料：
一份意向信（coverletter）,信中注明研究領(lǐng)域和應聘崗位名稱，簡單描述自己為什么合格；一份詳細電子版簡歷（英文、中文都可），簡歷中請包括個人和家庭的有關(guān)信息
三份推薦信
三篇代表性的學術(shù)論文
一份未來研究課題計劃的摘要（2-3頁）
初選合格者將受邀來我校參加評聘答辯，由我校支付往返旅費和食宿費用。
2、招聘博士后、專職研究人員若干名
（1）研究方向
低維或二維介觀量子體系材料、器件的電磁聲光學元激發(fā)和量子輸運理論
低維介觀量子體系材料、器件的仿真和模擬
新材料（石墨烯，拓撲絕緣體、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生長技術(shù)（磁控濺射，ALD，CVD）
低維介觀量子體系材料、器件物理測試系統(tǒng)改進與搭建（<1K低溫，>60特斯拉高磁場,飛秒激光激發(fā)，STM，MFM，F(xiàn)MR）
低維介觀量子體系材料、器件物理表征（<1K低溫，>60特斯拉高磁場,飛秒激光激發(fā)，STM，MFM，F(xiàn)MR）
用磁控濺射，ALD進行鐵磁，反鐵磁，亞鐵磁超薄膜生長與磁隧道節(jié)制作
生化醫(yī)療Microfluidic測試系統(tǒng)的設計、研究和制作
量子計算，類腦計算，量子ECC器件物理，系統(tǒng)設計與表征
Nanoimprint和Directed-Self-Assembly器件制作工藝
先進半導體邏輯與儲存（DRAM，F(xiàn)lash，RRAM,STT-MRAM）器件制作集成和工藝
（2）應聘條件
年齡在35歲以下
最近兩年內(nèi)在物理，材料，化學、化學工程學科取得博士學位，
博士論文研究方向同上列一個或多個方向相關(guān)
以第一作者或通訊作者在所研究學科一流期刊發(fā)表2篇以上高水平學術(shù)論文
基本具備獨立從事科學研究的能力
優(yōu)秀的中英文交流、表達能力，能撰寫英文學術(shù)論文
腳踏實地、勤學上進、富有科學獻身精神
（3）基本待遇
提供8-10萬元的年薪
其他待遇參照學校有關(guān)規(guī)定執(zhí)行
（4）應聘方式
有意應聘者請通過電子郵件提供如下應聘材料：
本人詳細的電子版CV（英文、中文都可）
三篇已發(fā)表的論文
三名推薦人的聯(lián)系方式（電子郵件和電話）
初選合格者將受邀來我校參加評聘答辯，由我校支付往返旅費和食宿費用。
三、聯(lián)系方式
單位：西安交通大學高層次人才辦公室
地址：中國陜西西安市咸寧西路28號
郵編：710049
聯(lián)系人：劉瑩
電話：13319181800
E-mail:lybobo@mail.xjtu.edu.cn
截至日期：2016-08-31

為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）