西安交通大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究中心是一個(gè)面向新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件的研究中心。該中心致力于研發(fā)在熱、聲、光、電及力學(xué)等方面具有潛在性能優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)業(yè)化前景的新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件，目前重點(diǎn)開(kāi)展利用微波等離子體化學(xué)氣相外延（MPCVD）、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOCVD）等先進(jìn)半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)工藝設(shè)備外延生長(zhǎng)寬禁帶半導(dǎo)體單晶薄膜、單晶襯底和量子結(jié)構(gòu)，開(kāi)展相關(guān)基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究；并研發(fā)相應(yīng)的短波長(zhǎng)發(fā)光器件、高溫高頻大功率電子器件、高效大功率電力電子器件、高性能傳感器及成像器件；同時(shí)帶動(dòng)我校電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科的發(fā)展。該中心現(xiàn)承擔(dān)科技部“863”重大項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目等。該實(shí)驗(yàn)室將通過(guò)整合西安交通大學(xué)相關(guān)學(xué)科資源、強(qiáng)化科研平臺(tái)建設(shè)、引進(jìn)國(guó)際一流人才，逐步發(fā)展成為具有國(guó)際水平的、在國(guó)內(nèi)外有重要影響的、特色鮮明的研究基地，最終建成世界一流的學(xué)術(shù)研究機(jī)構(gòu)。
1.研究中心實(shí)驗(yàn)室主任
王宏興教授，國(guó)家“人才”特聘專(zhuān)家。
2.學(xué)術(shù)委員會(huì)主任
侯洵教授，中國(guó)科學(xué)院院士。
3.主要研究方向
（1）大面積、高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體襯底的研究；
（2）電子器件級(jí)高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體單晶薄膜及摻雜方法的研究；
（3）高溫、高效、大功率微波器件及高效大功率電力電子器件的研究；
（4）基于寬禁帶半導(dǎo)體的傳感器和成像探測(cè)器的研究；
（5）新型微波等離子體化學(xué)氣相外延（MPCVD）等關(guān)鍵設(shè)備的研制。
4.主要研究條件
（1）工藝設(shè)備：日本Seki Technotron Corp. 公司的AX6500 CVD、AX5200和AX5250系統(tǒng)3套，AIXTRON MOCVD一套，高精密金剛石研磨機(jī)一臺(tái)，激光切割機(jī)一臺(tái)，現(xiàn)有RS-LMBE一套、MOCVD一套、JPSA激光剝離機(jī)一套，反應(yīng)磁控濺射系統(tǒng)各一套，電阻和電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備各一套，深紫外光刻機(jī)一臺(tái)，ICP離子刻蝕一臺(tái)，微控?cái)U(kuò)散爐一臺(tái)，快速退火爐（RTP）一臺(tái)、KNS球焊機(jī)、楔焊機(jī)各一臺(tái)。
（2）測(cè)試設(shè)備：Philips高分辨率XRD（MRD）一臺(tái)，AFM一臺(tái)，高分辨率FEM-SEM一臺(tái)，四探針測(cè)試系統(tǒng)一臺(tái)，陰極發(fā)光CL一臺(tái)、吉時(shí)利4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析、安捷倫1505A型高壓大功率半導(dǎo)體特性分析儀，高分辨表面平坦度測(cè)試儀一臺(tái)，拉曼譜測(cè)試儀一臺(tái)，變溫PL譜一臺(tái)、飛秒激光系統(tǒng)兩套、Lake Shore 7707A變溫霍耳測(cè)試系統(tǒng)等。
（3）并建有“寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料與器件實(shí)驗(yàn)室”，該實(shí)驗(yàn)室從寬帶隙化合物半導(dǎo)體光電材料的外延生長(zhǎng)、高低溫光電特性測(cè)試、薄膜結(jié)構(gòu)測(cè)試、深紫外曝光（光刻）、刻蝕（濕，干）、金屬電極制作、雜質(zhì)擴(kuò)散和熱處理等方面形成了一套完整的工藝、測(cè)試線，有700m2的凈化間。
一.人才招聘條件與待遇
1.招聘全職教職人員5名
（1）研究方向
在以下幾個(gè)方向共招聘5名：
大面積寬禁帶半導(dǎo)體襯底的研究；
寬禁帶半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)和摻雜方法的研究；
大功率微波器件，大功率電力電子器件的研究；
寬禁帶半導(dǎo)體的傳感器和成像探測(cè)器的研究；
新型微波等離子體化學(xué)氣相外延（MPCVD）等關(guān)鍵設(shè)備的研制。
（2）應(yīng)聘條件
應(yīng)聘講師年齡在32歲以下，應(yīng)聘副教授年齡在35歲以下；
電子科學(xué)與技術(shù)、電氣工程、材料科學(xué)或相關(guān)專(zhuān)業(yè)博士畢業(yè)；
在與上列相關(guān)的一個(gè)方向有兩年以上的工作經(jīng)歷；
以第一作者在國(guó)際一流期刊發(fā)表2篇以上高水平學(xué)術(shù)論文；
有獨(dú)立承擔(dān)科研項(xiàng)目的能力；
優(yōu)秀的中、英文表達(dá)能力，優(yōu)秀的閱讀和撰寫(xiě)英文學(xué)術(shù)論文；
具有團(tuán)隊(duì)合作精神和責(zé)任心。
（3）待遇
采用Tenure Track（預(yù)備終身教職）模式；
講師年薪為12萬(wàn)元，副教授年薪為18萬(wàn)元；
年終根據(jù)業(yè)績(jī)提供相應(yīng)的年度獎(jiǎng)勵(lì)；
提供一定數(shù)額的安家費(fèi)及科研啟動(dòng)費(fèi)；
在子女入托、中小學(xué)入學(xué)方面享受校內(nèi)職工同等待遇；
其他待遇按照學(xué)校有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。
二.應(yīng)聘方式
所有應(yīng)聘者應(yīng)提供以下資料：
（1）中英文電子版簡(jiǎn)歷、格式不限，應(yīng)包含本人研究領(lǐng)域和應(yīng)聘的研究方向、研究成果列表；
（2）個(gè)人信息，以及家庭狀況的有關(guān)信息；
（3）主要研究成果。3項(xiàng)主要成果的電子版，含成果水平的簡(jiǎn)要介紹（中英文）；
（4）兩份業(yè)內(nèi)專(zhuān)家的推薦信（中/英文）；
（5）對(duì)研究方向的設(shè)想。
三.聯(lián)系方法
單 位：西安交通大學(xué)
地 址：中國(guó) 陜西 西安 咸寧西路28號(hào) 西安交通大學(xué)電信學(xué)院
郵 編：710049
聯(lián)系人：張明輝
電話：029-82668155
E-mail:zhangminghuicc@mail.xjtu.edu.cn
截至日期：2014-12-31
1.研究中心實(shí)驗(yàn)室主任
王宏興教授，國(guó)家“人才”特聘專(zhuān)家。
2.學(xué)術(shù)委員會(huì)主任
侯洵教授，中國(guó)科學(xué)院院士。
3.主要研究方向
（1）大面積、高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體襯底的研究；
（2）電子器件級(jí)高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體單晶薄膜及摻雜方法的研究；
（3）高溫、高效、大功率微波器件及高效大功率電力電子器件的研究；
（4）基于寬禁帶半導(dǎo)體的傳感器和成像探測(cè)器的研究；
（5）新型微波等離子體化學(xué)氣相外延（MPCVD）等關(guān)鍵設(shè)備的研制。
4.主要研究條件
（1）工藝設(shè)備：日本Seki Technotron Corp. 公司的AX6500 CVD、AX5200和AX5250系統(tǒng)3套，AIXTRON MOCVD一套，高精密金剛石研磨機(jī)一臺(tái)，激光切割機(jī)一臺(tái)，現(xiàn)有RS-LMBE一套、MOCVD一套、JPSA激光剝離機(jī)一套，反應(yīng)磁控濺射系統(tǒng)各一套，電阻和電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備各一套，深紫外光刻機(jī)一臺(tái)，ICP離子刻蝕一臺(tái)，微控?cái)U(kuò)散爐一臺(tái)，快速退火爐（RTP）一臺(tái)、KNS球焊機(jī)、楔焊機(jī)各一臺(tái)。
（2）測(cè)試設(shè)備：Philips高分辨率XRD（MRD）一臺(tái)，AFM一臺(tái)，高分辨率FEM-SEM一臺(tái)，四探針測(cè)試系統(tǒng)一臺(tái)，陰極發(fā)光CL一臺(tái)、吉時(shí)利4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析、安捷倫1505A型高壓大功率半導(dǎo)體特性分析儀，高分辨表面平坦度測(cè)試儀一臺(tái)，拉曼譜測(cè)試儀一臺(tái)，變溫PL譜一臺(tái)、飛秒激光系統(tǒng)兩套、Lake Shore 7707A變溫霍耳測(cè)試系統(tǒng)等。
（3）并建有“寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料與器件實(shí)驗(yàn)室”，該實(shí)驗(yàn)室從寬帶隙化合物半導(dǎo)體光電材料的外延生長(zhǎng)、高低溫光電特性測(cè)試、薄膜結(jié)構(gòu)測(cè)試、深紫外曝光（光刻）、刻蝕（濕，干）、金屬電極制作、雜質(zhì)擴(kuò)散和熱處理等方面形成了一套完整的工藝、測(cè)試線，有700m2的凈化間。
一.人才招聘條件與待遇
1.招聘全職教職人員5名
（1）研究方向
在以下幾個(gè)方向共招聘5名：
大面積寬禁帶半導(dǎo)體襯底的研究；
寬禁帶半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)和摻雜方法的研究；
大功率微波器件，大功率電力電子器件的研究；
寬禁帶半導(dǎo)體的傳感器和成像探測(cè)器的研究；
新型微波等離子體化學(xué)氣相外延（MPCVD）等關(guān)鍵設(shè)備的研制。
（2）應(yīng)聘條件
應(yīng)聘講師年齡在32歲以下，應(yīng)聘副教授年齡在35歲以下；
電子科學(xué)與技術(shù)、電氣工程、材料科學(xué)或相關(guān)專(zhuān)業(yè)博士畢業(yè)；
在與上列相關(guān)的一個(gè)方向有兩年以上的工作經(jīng)歷；
以第一作者在國(guó)際一流期刊發(fā)表2篇以上高水平學(xué)術(shù)論文；
有獨(dú)立承擔(dān)科研項(xiàng)目的能力；
優(yōu)秀的中、英文表達(dá)能力，優(yōu)秀的閱讀和撰寫(xiě)英文學(xué)術(shù)論文；
具有團(tuán)隊(duì)合作精神和責(zé)任心。
（3）待遇
采用Tenure Track（預(yù)備終身教職）模式；
講師年薪為12萬(wàn)元，副教授年薪為18萬(wàn)元；
年終根據(jù)業(yè)績(jī)提供相應(yīng)的年度獎(jiǎng)勵(lì)；
提供一定數(shù)額的安家費(fèi)及科研啟動(dòng)費(fèi)；
在子女入托、中小學(xué)入學(xué)方面享受校內(nèi)職工同等待遇；
其他待遇按照學(xué)校有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。
二.應(yīng)聘方式
所有應(yīng)聘者應(yīng)提供以下資料：
（1）中英文電子版簡(jiǎn)歷、格式不限，應(yīng)包含本人研究領(lǐng)域和應(yīng)聘的研究方向、研究成果列表；
（2）個(gè)人信息，以及家庭狀況的有關(guān)信息；
（3）主要研究成果。3項(xiàng)主要成果的電子版，含成果水平的簡(jiǎn)要介紹（中英文）；
（4）兩份業(yè)內(nèi)專(zhuān)家的推薦信（中/英文）；
（5）對(duì)研究方向的設(shè)想。
三.聯(lián)系方法
單 位：西安交通大學(xué)
地 址：中國(guó) 陜西 西安 咸寧西路28號(hào) 西安交通大學(xué)電信學(xué)院
郵 編：710049
聯(lián)系人：張明輝
電話：029-82668155
E-mail:zhangminghuicc@mail.xjtu.edu.cn
截至日期：2014-12-31
為防止簡(jiǎn)歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專(zhuān)業(yè)+中國(guó)博士人才網(wǎng)）
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