招聘崗位：博士后1-2名
崗位職責：III-V族化合物半導體材料生長和光電子器件研制
崗位要求：（1）理學或工學博士畢業(yè)；（2）具有半導體物理、半導體材料、半導體光電子器件背景；（3）對科研有熱情，了解相關領域國內外最新進展，動手能力強，有較強的英語閱讀和寫作能力；（4）具有化合物半導體MBE材料生長、材料表征分析、光電子器件研制、鎖模激光器測試及研制經(jīng)驗者將優(yōu)先考慮。
崗位待遇：工資福利待遇按中科院蘇州納米所和國家規(guī)定執(zhí)行，提供月工資+績效+年終獎勵；目前研究所博士后工資約8000元/月；按相關政策博士后可向園區(qū)政府申領博士后生活補貼及研究成果獎勵；業(yè)績突出者，博士后出站后可以優(yōu)先留所工作。
應聘方式：應聘者請將個人簡歷、三名推薦人的聯(lián)系方式及其他相關材料（包括發(fā)表論文情況及工作總結）以“應聘崗位+姓名”為主題發(fā)送至以下郵箱：zyzhang2014@sinano.ac.cn。我們將以郵件或電話的方式通知通過初試的應聘者，前來參加單位組織的筆試或面試。報名截止時間：2015 年 12 月 31 日。
聯(lián)系人：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 張子旸
電話：0512-62872952。
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
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