一、應(yīng)聘崗位
崗位1、光學(xué)合束與光學(xué)工程
要求具有如下研究或工作背景，具有非常好的溝通和合作能力，具有強烈的進取心。且發(fā)表至少2篇JCR二區(qū)及以上文章：
1.有空間合束、光譜合束和相干合束研究經(jīng)驗；
2.有光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計和關(guān)鍵器件選型，能獨立開展設(shè)計、出圖、裝調(diào)、測試等系列經(jīng)驗；
3.熟練使用專業(yè)相關(guān)軟件，如光學(xué)設(shè)計軟件（Zemax，CodeV等），圖像數(shù)據(jù)分析軟件（Matlab）等；
4.熟練掌握Solid Works/ProE等結(jié)構(gòu)繪圖軟件，能夠進行光路結(jié)構(gòu)繪制。
崗位2、光子態(tài)調(diào)控理論與實驗
要求具有如下研究或工作背景，具有非常好的溝通和合作能力，具有強烈的進取心。且發(fā)表至少2篇JCR二區(qū)及以上文章：
1.熟悉宇稱-時間對稱理論或奇點光學(xué)理論；
2.熟悉拓撲光子學(xué)建模或拓撲能帶計算；
3.熟悉光子連續(xù)域束縛態(tài)理論及結(jié)構(gòu)設(shè)計；
4.光子晶體或光學(xué)超構(gòu)材料或新型半導(dǎo)體激光器的研究經(jīng)歷。
崗位3、圖形襯底外延材料生長
要求具有如下研究或工作背景，具有非常好的溝通和合作能力，具有強烈的進取心。且發(fā)表至少2篇JCR二區(qū)及以上文章：
1.GaAs基或者InP基圖形襯底MOCVD外延材料生長及測試；
2.As/P基MOCVD設(shè)備維護；
3.GaAs基或者InP基半導(dǎo)體材料及微納結(jié)構(gòu)制備；
4.半導(dǎo)體激光二極管工藝及器件；
5.半導(dǎo)體光電子器件設(shè)計與原理。
崗位4、新型高性能光電子材料與器件
要求具有如下研究或工作背景，具有非常好的溝通和合作能力，具有強烈的進取心。且發(fā)表至少2篇JCR二區(qū)及以上文章：
1、具有從事光電子材料與器件研究工作經(jīng)驗5年以上；
2、熟練掌握光電子器件的研制工藝，所研制的器件水平處于國際領(lǐng)先水平；
3、有深厚的物理基礎(chǔ)，具有開拓進取能力，對相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展方向把握準確；
二、相關(guān)待遇
1.博士后經(jīng)聘用后，對符合申請條件的優(yōu)秀全職在站博士后納入“中科院特別研究助理“的管理，推薦其進行“博士后創(chuàng)新人才計劃”和相關(guān)項目的申請。
2.享受全國博管會關(guān)于博士后的相關(guān)優(yōu)惠政策。
3.研究組為研究人員提供國際先進的實驗設(shè)備平臺及科研環(huán)境。
4.年薪45萬-60萬（發(fā)表1篇JCR一區(qū)文章，發(fā)表2篇JCR二區(qū)文章，申請專利3項）
三、申請材料
1.請應(yīng)聘者準備以下相關(guān)文件：
2.申請信或個人陳述；
3.個人簡歷（包括學(xué)術(shù)經(jīng)歷，研究技能，英語水平，獲獎情況）；
4.代表性論文論著清單；
5.推薦人姓名，目前單位及聯(lián)系方式（如有）。
以上材料合并成一個PDF文檔發(fā)送至whzheng@semi.ac.cn，郵件標題請注明“應(yīng)聘博士后（特別研究助理）+崗位名稱+姓名 ”，并留下聯(lián)系方式。通過初選者將電話通知面試時間，未通知面試者不再另行通知。
原文出處：
http://lab.semi.ac.cn/yanjiusheng/contents/1335/146653.html
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
中國-博士人才網(wǎng)發(fā)布
聲明提示：凡本網(wǎng)注明“來源：XXX”的文/圖等稿件，本網(wǎng)轉(zhuǎn)載出于傳遞更多信息及方便產(chǎn)業(yè)探討之目的，并不意味著本站贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性，文章內(nèi)容僅供參考。
