日前，記者從中科院電工研究所獲悉，該所王秋良研究部采用自主研發(fā)的高溫內(nèi)插磁體技術(shù)，研制成功國內(nèi)首個25 T全超導(dǎo)磁體，成為繼日本理化學(xué)研究所（27.6 T）、美國高場實驗室（27.0 T）和韓國蘇南超導(dǎo)公司（26.4 T），世界上第四個實現(xiàn)25 T以上全超導(dǎo)磁體的研究機構(gòu)。
據(jù)介紹，與其它高溫超導(dǎo)帶材制作的內(nèi)插超導(dǎo)磁體相比，ReBCO超導(dǎo)磁體具有更高的上臨界磁場和臨界電流，運行穩(wěn)定性更高，更容易獲取極高磁場。 但ReBCO帶材的結(jié)構(gòu)是層狀的，在極高場條件下由于應(yīng)力集中可能會出現(xiàn)分層的現(xiàn)象，導(dǎo)致磁體損傷，不能穩(wěn)定運行。
王秋良研究部長期致力于研究極高場內(nèi)插磁體技術(shù)研究，針對ReBCO極高場內(nèi)插磁體的應(yīng)力集中問題，采用設(shè)計精巧的綁扎裝置對磁體外層導(dǎo)線予以保護，并利用分級設(shè)計的方式提高端部線圈的安全裕度，使整個內(nèi)插磁體的運行裕度得以大幅提高。經(jīng)測試，在液氦測試條件下，內(nèi)插磁體在運行電流達到194.5 A時，在15T的超導(dǎo)背場中產(chǎn)生了10.7 T的中心磁場，從而實現(xiàn)了中心場為25.7 T的全超導(dǎo)磁體。
專家指出，25.7 T極高場全超導(dǎo)磁場的實現(xiàn)，標(biāo)志著我國在研制高場內(nèi)插磁體技術(shù)方面走到了世界前列，也標(biāo)志著我國已經(jīng)掌握極高場磁體的建造技術(shù)，為后續(xù)研制30 T極高場科學(xué)裝置和GHz級別的譜儀磁體奠定了基礎(chǔ)。
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