一、課題組簡介
基于過去半個(gè)世紀(jì)的大量科研投入，硅基半導(dǎo)體材料的物理極限被充分發(fā)掘，現(xiàn)代電子器件的進(jìn)一步發(fā)展受限于硅材料的本征性能及其單一功能，對下一代非硅半導(dǎo)體技術(shù)的研究是未來電子科技進(jìn)步的基礎(chǔ)和動(dòng)力。本實(shí)驗(yàn)室主要從事下一代高性能晶體半導(dǎo)體材料合成、工藝開發(fā)以及器件應(yīng)用研究。主要研究方向?yàn)椋?/p>
1.開發(fā)新型二維材料或超薄準(zhǔn)二維材料，現(xiàn)階段涉及III-V族氮化物、II-VI族氧化物，以及石墨烯、氮化硼、過渡金屬硫化物。
2.開發(fā)三維異質(zhì)結(jié)構(gòu)堆疊工藝，探索界面產(chǎn)生的包括力學(xué)、電學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)等物理現(xiàn)象。
3.由此開發(fā)功能集成，可應(yīng)用于集成電路和集成光學(xué)。本實(shí)驗(yàn)室研究致力于開拓超微型多功能集成芯片的新解決方案，并應(yīng)用于人工智能、人機(jī)界面、物聯(lián)網(wǎng)等未來場景。
官網(wǎng)：https://www.konglab-westlake.com/
二、招聘崗位：博士后（招聘人數(shù)：若干人）
任職條件： 1.
（1）年齡不超過35）有以下領(lǐng)域研究經(jīng)歷應(yīng)聘者優(yōu)先考慮：
a.大單晶生長，熟悉提拉法生長方式原理與設(shè)備操作設(shè)計(jì)，及晶圓后處理與表征等工序
b.寬禁帶半導(dǎo)體器件工藝、測試
c.電路設(shè)計(jì)
d.人工智能深度學(xué)習(xí)算法
e.低維材料制備、工藝、器件
2.崗位職責(zé)：
（1）參與共同指導(dǎo)學(xué)生（博士生、碩士生、本科生、實(shí)習(xí)生）；
（3郵箱，郵件標(biāo)題請注明：“應(yīng)聘博士后 ”，對于符合要求并通過初審者，將會(huì)通知安排面試。招聘啟事在崗位招滿前有效。
五、課題組負(fù)責(zé)人介紹
孔瑋，西湖大學(xué)工學(xué)院特聘研究員，中山大學(xué)物理學(xué)專業(yè)獲學(xué)士，杜克大學(xué)電子工程系獲博士，2016-2020年在麻省理工學(xué)院機(jī)械工程系從事博士后研究，殼牌能源學(xué)者，2020年9月全職加入西湖大學(xué)工學(xué)院�？赚|博士曾以第一作者或通信作者身份在Science, Nature Materials, Nature Nanotechnology，Nano Lett.等期刊發(fā)表論文，成果得到Semiconductor Today, Science Daily, phys.org, MIT News等多家專業(yè)媒體報(bào)道。學(xué)術(shù)成果曾在美國得到政府機(jī)構(gòu)及工業(yè)界研究資助總額達(dá)350萬美元。目前成果轉(zhuǎn)化為七項(xiàng)國際專利，被兩家美國半導(dǎo)體公司授權(quán)生產(chǎn)。
論文發(fā)表情況：
（https://scholar.google.com/citations?user=e6xKliUAAAAJ&hl=en&oi=ao）
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
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