一、課題組簡介
基于過去半個世紀的大量科研投入，硅基半導(dǎo)體材料的物理極限被充分發(fā)掘，現(xiàn)代電子器件的進一步發(fā)展受限于硅材料的本征性能及其單一功能，對下一代非硅半導(dǎo)體技術(shù)的研究是未來電子科技進步的基礎(chǔ)和動力。本實驗室主要從事下一代高性能晶體半導(dǎo)體材料合成、工藝開發(fā)以及器件應(yīng)用研究。主要研究方向為：
1.開發(fā)新型二維材料或超薄準二維材料，現(xiàn)階段涉及III-V族氮化物、II-VI族氧化物，以及石墨烯、氮化硼、過渡金屬硫化物。
2.開發(fā)三維異質(zhì)結(jié)構(gòu)堆疊工藝，探索界面產(chǎn)生的包括力學(xué)、電學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)等物理現(xiàn)象。
3.由此開發(fā)功能集成，可應(yīng)用于集成電路和集成光學(xué)。本實驗室研究致力于開拓超微型多功能集成芯片的新解決方案，并應(yīng)用于人工智能、人機界面、物聯(lián)網(wǎng)等未來場景。
二、招聘崗位及條件
1. 招聘崗位：博士后（若干名）
2. 任職條件：能獨立開展科研工作，有優(yōu)秀的科研成果。
3. 任職要求：
（1）年齡不超過35周歲；
（2）在化學(xué)、物理、材料或電子工程方向已取得或即將取得博士學(xué)位。
（3）有以下領(lǐng)域研究經(jīng)歷應(yīng)聘者優(yōu)先考慮：
a. 大單晶生長，熟悉提拉法生長方式原理與設(shè)備操作設(shè)計，及晶圓后處理與表征等工序
b. 寬禁帶半導(dǎo)體器件工藝、測試
c. 電路設(shè)計
d. 人工智能深度學(xué)習(xí)算法
4. 崗位職責：
（1）在新一代半導(dǎo)體研究領(lǐng)域開展創(chuàng)新性理論與方法研究；
（2）參與共同指導(dǎo)訓(xùn)練所有層級的學(xué)生（博士生、碩士生、本科生、實習(xí)生）；
（3）與實驗室團隊成員、合作團隊及工業(yè)伙伴合作研究。
三、薪酬待遇
根據(jù)西湖大學(xué)相關(guān)規(guī)定以及申請人工作能力，實驗室將提供在國內(nèi)外具有競爭力的薪酬待遇以及科研條件，及西湖大學(xué)的相關(guān)福利。具體待遇面議。對獲得中國博士后科學(xué)基金資助和省級博士后科研項目資助的，市財政給予1:1配套資助。對出站留杭（來杭）工作的博士后，給予每人40萬元補助。
針對申請人的職業(yè)規(guī)劃進行專門培養(yǎng)。1.本實驗室將大力支持團隊成員的學(xué)術(shù)研究職業(yè)發(fā)展；為團隊成員提供良好的研究氛圍；創(chuàng)造發(fā)表高質(zhì)量有影響力文獻的條件；提供基金撰寫的培訓(xùn)；提供在國內(nèi)外作學(xué)術(shù)交流報告的機會；部分優(yōu)秀博士后有機會作為訪問學(xué)者到麻省理工學(xué)院進行培訓(xùn)交流半年至一年。2.此外本實驗室將依托科研成果創(chuàng)建產(chǎn)業(yè)化團隊，本方向成員將有機會參與到初創(chuàng)企業(yè)的發(fā)展過程。
四、應(yīng)聘方式
請將簡歷及相關(guān)材料以PDF形式發(fā)送至kongwei@westlake.edu.cn郵箱，郵件標題請注明：“應(yīng)聘博士后+本人姓名 ”，對于符合要求并通過初審者，將會通知安排面試。招聘啟事在崗位招滿前有效。
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
中國-博士人才網(wǎng)發(fā)布
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